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    氮化硅基板
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    • 氮化硅基板

    氮化硅基板

    Si3N4陶瓷基板具备高强度、高导热、耐高温、高耐磨性、抗氧化、热膨胀系数低和抗热震等性能，同时具有较好的气密性，可隔离水汽、氧气和灰尘等特点，成为大功率半导体器件基板的最佳材料，被广泛应用到功率集成电路中。

    关键词：

    氮化硅基板

    所属分类：

    服务咨询：

    产品优势

    ♦ 氮化硅基板与氮化铝和氧化铝基板相比，具有两倍以上的抗弯强度

    ♦ 与氧化铝和ZTA基板相比具有三倍以上的热导率

    ♦ 具有高的绝缘性和与Si相匹配的热膨胀系数

    ♦ 优异的抗热震性能和高强度

     

    参数指标

    ASD陶瓷基板材料特性

    材料牌号

    ASD-996

    ASD-ZTA

    ASD-170

    ASD-200

    ASD-230

    ASD-HS

    ASD-Si3N4

    Al2O3含量

    wt

    %

    99.6%

    Al2O3/ZrO2

    AlN

    AlN

    AlN

    AlN

    Si3N4

    外观

    -

    -

    白色致密

    白色致密

    浅灰色致密

    米黄色致密

    米黄色致密

    深灰色致密

    深灰色致密

    表面粗糙度

    Ra

    μm

    <0.6

    <0.6

    <0.6

    <0.6

    <0.6

    <0.6

    <0.6

    表观密度

    排水法

    g/cm3

    ≥3.85

    ≥3.95

    ≥3.3

    ≥3.3

    ≥3.3

    ≥3.3

    ≥3.2

    光反射率

    400nm/1mm

    %

    83

    97

    -

    -

    -

    -

    -

    机械性能

    抗弯强度

    三点抗弯

    MPa

    >500

    >650

    >400

    >350

    >300

    >550

    >700

    断裂韧性

    压痕法

    MPa﹡m1/2

    3

    4.0

    3.0

    3.0

    3.0

    3.0

    6.5-7

    维氏硬度

    裁荷4.9 N

    GPa

    16

    15

    11

    11

    11

    11

    15.0

    杨氏模量

    拉伸法

    GPa

    300

    310

    320

    320

    320

    320

    310.0

    热性能

    热照胀系数

    25 ~ 800℃

    ×10-6/ k

    7.9

    8.0

    4.6-5.2

    4.6-5.2

    4.6-5.2

    4.6-5.2

    2.5-3.1

    热导率

    25℃

    W/(m?k)

    >29

    >27

    >170

    >200

    >230

    >150

    >80

    抗热震性

    800℃

    ≥10次

    无裂纹

    无裂纹

    无裂纹

    -

    -

    无裂纹

    无裂纹

    比热

    25℃

    J/（kg?k）

    780

    720

    720

    720

    720

    720

    680

    电性能

    介电常数

    1 MHz, 25℃

    -

    9.5-10.5

    9.5-10.5

    8-10

    8-10

    8-10

    8-10

    7.8

    介电损耗

    1 MHz. 25℃

    ×10-4

    ≤2

    ≤3

    ≤3

    ≤3

    ≤3

    ≤3

    ≤4

    体枳电阻

    25℃

    Ω? cm

    ＞1014

    ＞1014

    ＞1014

    ＞1014

    ＞1014

    ＞1014

    ＞1014

    击穿电压

    DC

    KV/mm

    ＞15

    ＞15

    ≥20

    ≥20

    ≥20

    ≥20

    ＞15

     

     

    ASD陶瓷基板规格尺寸

    厚度规格（mm）

    尺寸（mm）
     

    50.8*50.8

    76.2*76.2

    101.6*101.6

    114.3*114.3

    120*120

    140*190

    150*150

    0.1

    3

    ——

    ——

    ——

    ——

    ——

    ——

    0.15

    3

    ——

    ——

    ——

    ——

    ——

    ——

    0.2

    3

    3

    3

    ——

    ——

    ——

    ——

    0.245

    3

    3

    3

    3

    3

    ——

    		  

    0.32

    1/2/3/6/7

    1/2/3/6/7

    1/2/3/6/7

    1/2/3/6/7

    1/2/3/6/7

    1/2/3/6/7

    ——

    0.337

    3/4/5

    3/4/5

    3/4/5

    3/4/5

    3/4/5

    ——

    ——

    0.35

    3/4/5

    3/4/5

    3/4/5

    3/4/5

    3/4/5

    ——

    ——

    0.381

    3/4/5

    3/4/5

    3/4/5

    3/4/5

    3/4/5

    ——

    ——

    0.5

    3/4/5

    3/4/5

    3/4/5

    3/4/5

    3/4/5

    1/2/3/6/7

    ——

    0.635

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    0.762

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3/

    1/2/3

    1

    1/2/3/4/5

    1/2/3/4/5

    1/2/3/4/5

    1/2/3/4/5

    1/2/3/4/5

    1/2/3/4/5

    1/2/3/4/5

    1.5

    1/2/3/4/5

    1/2/3/4/5

    1/2/3/4/5

    1/2/3/4/5

    1/2/3/4/5

    1/2/3/4/5

    1/2/3/4/5

    2

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3/

    1/2/3

    3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3/

    1/2/3

    4

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3

    1/2/3/

    1/2/3

    备注

    1、ASD-996,2、ASD-ZTA,3、ASD-170,4、ASD-200,5、ASD-230,6、ASD-HS，7、ASD-Si3O4

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